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光刻膠粘附力對MEMS工藝影響--HMDS處理設(shè)備
在MEMS產(chǎn)品的研發(fā)過程中,在PZ層去膠之后發(fā)現(xiàn)有嚴(yán)重的側(cè)向腐蝕現(xiàn)象。這種現(xiàn)象可以直接從顯微鏡目檢中檢查出,而且在整個(gè)晶圓的表面呈現(xiàn)無規(guī)則的分布。同一批次的產(chǎn)品都會出現(xiàn)這種過腐蝕現(xiàn)象,同一片產(chǎn)品內(nèi)部整個(gè)表面都存在這種過腐蝕現(xiàn)象,而并不是在晶圓的某些特殊區(qū)域或者特殊圖形出現(xiàn)。
同樣,光刻膠的烘烤的溫度和時(shí)間,也不僅僅影響到光刻膠的黏附性問題,也會影響到光刻膠的形貌、光刻膠曝光能量等工藝參數(shù)。涂膠前處理的HMDS預(yù)處理只會影響到光刻膠與襯底之間的黏附性,對其他工藝參數(shù)的影響十分微小,這對于改善光刻膠與襯底之間的黏附性問題,是十分有利的。
首先介紹一下HMDS涂布的原理,常用的黏附劑是六甲基二硅胺烷(HMDS)。在提升光刻膠的黏附性工藝中,實(shí)際上六甲基二硅烷并不是作為粘結(jié)劑所產(chǎn)生作用的,而是,HMDS改變了襯底的界面結(jié)構(gòu),從而使晶圓的性質(zhì)由親水性表面轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷员砻妗?/span>
HMDS處理設(shè)備是采用蒸汽涂布的方式。簡單評價(jià)晶圓的表面黏附性好壞,可以將晶圓進(jìn)行HMDS涂布,然后在晶圓的表面滴一滴水珠,然后通過測量水珠的接觸角,來進(jìn)行晶圓表面黏附性好壞的判斷。當(dāng)接觸角角度越大,說明黏附性越好,也就意味著疏水性越強(qiáng)。光刻膠與晶圓表面之間的黏附性問題,除了受到分子鍵合的影響,還受到其他重要因素的影響。如表面的水分就是其中的主要因素,會減少黏附性,從而造成掀膠和側(cè)向腐蝕。HMDS涂布是涂膠前對硅片表面進(jìn)行處理,可以增加硅片表面水分子的接觸角,使硅片表面從親水性轉(zhuǎn)化為疏水性。
結(jié)果表明HMDS處理設(shè)備的涂布時(shí)間是對接觸角角度的最主要的影響因素,但是涂布時(shí)間對于接觸角的影響并不是持續(xù)線性的,當(dāng)涂布時(shí)間在55秒附近就會達(dá)到它的飽和點(diǎn)。為了達(dá)到接觸角角度最大,設(shè)備產(chǎn)能利用的平衡點(diǎn)(HMDS涂布單元時(shí)間過長,會變成設(shè)備的瓶頸單元,導(dǎo)致設(shè)備產(chǎn)能減少,從而相應(yīng)的增加產(chǎn)品的生產(chǎn)成本),將HMDS涂布時(shí)間設(shè)置在一定值內(nèi)。另一方面對于HMDS涂布的溫度來說,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與我們所預(yù)期的結(jié)果也是*一致的,當(dāng)溫度在某一高溫值的時(shí)候,接觸角的角度達(dá)到了峰值,當(dāng)溫度繼續(xù)升高的話,反而會降低接觸角的角度。
智能型HMDS真空系統(tǒng)
智能型HMDS真空系統(tǒng)(JS-HMDS90-AI)用途:
在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個(gè)工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時(shí)顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時(shí)濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS氣相沉積至半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍(lán)寶石、晶圓等材料表面后,經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?/span>其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用。
智能型HMDS真空系統(tǒng)(JS-HMDS90-AI)特點(diǎn):
HMDS 藥液泄漏報(bào)警提示功能
HMDS低液位報(bào)警提示功能
工藝數(shù)據(jù)記錄功能
藥液管道預(yù)熱功能
智能型HMDS真空系統(tǒng)(JS-HMDS90-AI)技術(shù)性能:
無油渦旋真空泵